同时,IBM还首次使用了片上边沿捕获电路,用于测量芯片内部的字线脉冲宽度等信号参数,还可以校准SRAM单元的性能,精确指示出SRAM单元可以运行的频率。IBM T.J. Watson研究中心的Rajiv V. Joshi表示:“有明确的证据显示,新SRAM单元的存储元件可以运行在6.6GHz频率上。”
IBM是利用65nm SOI技术打造这一高速SRAM芯片的,而这也是Rajiv V. Joshi的研究项目之一。Joshi是电气和电子工程师协会(IEEE)的一员,拥有114项美国专利,还有一些专利正在申请中。