碳纳米管互连CMOS芯片迈过1GHz大关

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碳纳米管互连CMOS芯片迈过1GHz大关

振华网 2008年02月18日作者：阿亮编辑：阿亮

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随着微处理芯片速度的不断提升，CMOS上的铜互连技术正在成为瓶颈。一种可能的替代方案是使用电子迁移率更高、尺寸更小的碳纳米管，不过直到现在，研究人员们才找到了合适的方法，成功将碳纳米管放在了芯片最合适的位置上。

美国斯坦福大学宣布，在日本东芝公司的协助下，他们已经成功设计出了世界上第一个频率高达1GHz的碳纳米管互连CMOS电路芯片。该芯片由台湾台积电生产，面积0.01平方英寸(6.45平方毫米)，集成晶体管11000个，其上放置了256个环形振荡器，频率达到1GHz，高于其他CMOS芯片(如iPhone处理器)所能达到的700MHz。

斯坦福大学电气工程实验室教授Philip Wong自豪地表示：“很多实验室都在研究纳米管互连芯片，但我们这是第一款能运行在1GHz速度上的实用数字芯片。”

据悉，该芯片，使用了多壁纳米管，长5微米，直径50-100纳米，与铜线的尺寸相当，但未来可以改用单壁纳米管，最小直径仅1纳米。

不过，碳纳米管的量产依然还是个难题，因此这种新型CMOS距离投入实用还有很长的路要走。