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台积电准备40nm过渡性工艺
振华网 2008年03月25日 作者：阿亮 编辑：阿亮

由于半导体制造工艺改进风险较大，不少厂商都会在大幅跨越之间推出一代过渡性工艺，比如90nm和65nm之间的80nm、65nm和45nm之间的55nm等。这些我们通常都称之为“半代制程”(Half Node)。

现在，台积电又准备拿出另一种半代制程：40nm。这是45nm和32nm之间的过渡性工艺，预计芯片功耗可比45nm减少约15％。

台积电计划在今年第二季度试产第一块40nm工艺晶圆，年底投产40nm芯片。台积电代工的主要是GPU图形芯片，但AMD和NVIDIA目前均未宣布40nm工艺产品计划。

台积电将在2009年晚些时候进军32nm，与Intel几乎同时。

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